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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleTSM2301ACX RFG
TSM2301ACX RFG Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

TSM2301ACX RFG - Taiwan Semiconductor Corporation

Fabricant Modèle de produit
TSM2301ACX RFG
Fabricant
Taiwan Semiconductor
Allelco Modèle de produit
32D-TSM2301ACX RFG
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CHANNEL 20V 2.8A SOT23
Description détaillée
Emballage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fiche technique
TSM2301A.pdf
État RoHS
En stock: 98530

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques TSM2301ACX RFG
Taiwan Semiconductor Corporation - TSM2301ACX RFG Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Taiwan Semiconductor Corporation - TSM2301ACX RFG

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Taiwan Semiconductor  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-23  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 2.8A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 700mW (Ta)  
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 480 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 4.5 nC @ 4.5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.8A (Tc)  
Numéro de produit de base TSM2301  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Taiwan Semiconductor Corporation TSM2301ACX RFG

Attributs du produit TSM2301ACX RFG TSM2302CX RFG TSM2301BCX RFG TSM2301CX RFG
Modèle de produit TSM2301ACX RFG TSM2302CX RFG TSM2301BCX RFG TSM2301CX RFG
Fabricant Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation
Package composant fournisseur SOT-23 SOT-23 SOT-23 SOT-23
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Séries - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 480 pF @ 15 V 587 pF @ 10 V 415 pF @ 6 V 447 pF @ 6 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.8A (Tc) 3.9A (Tc) 2.8A (Tc) 2.8A (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1.2V @ 250µA 950mV @ 250µA 950mV @ 250µA
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 1.8V, 4.5V 2.5V, 4.5V
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (Max) ±12V ±8V ±8V ±8V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numéro de produit de base TSM2301 TSM2302 - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 4.5 nC @ 4.5 V 7.8 nC @ 4.5 V 4.5 nC @ 4.5 V 4.5 nC @ 4.5 V
Tension drain-source (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
Fonction FET - - - -
type de FET P-Channel N-Channel P-Channel P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 2.8A, 4.5V 65mOhm @ 3.2A, 4.5V 100mOhm @ 2.8A, 4.5V 130mOhm @ 2.8A, 4.5V
Dissipation de puissance (max) 700mW (Ta) 1.5W (Tc) 900mW (Ta) 900mW (Ta)

Fiche technique TSM2301ACX RFG PDF

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Feuilles de données
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Amérique États-Unis 5
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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